3.5亿美元, 韩国加码新一代iLED显示技术

这笔投资将集中于iLED相关技术的研发，包括Micro-LED、量子点和纳米LED等。

7月15日，韩国产业通商资源部宣布，政府将在2032年前投入总计4840亿韩元（约合3.5亿美元），用于开发无机发光二极管（iLED）显示技术。

这笔投资将集中于iLED相关技术的研发，包括Micro-LED、量子点和纳米LED（Nano LED）等。同时，该资金还将用于培育韩国本土的iLED产业生态系统，以完善产业链布局。

iLED被视为下一代显示技术，与当前主流的有机发光二极管（OLED）相比，具有更长的使用寿命、更高的亮度和更优的能效。从市场规模来看，全球iLED 市场预计将从2026年的10亿美元增长至2035年的320亿美元，增长潜力巨大。

目前，韩国在OLED市场保持全球领先地位，但在iLED技术领域相对滞后，严重依赖外国制造的LED芯片和iLED显示所需材料。此次投资计划旨在弥补韩国在iLED领域的短板，巩固其在全球显示产业的竞争力，抓住下一代显示技术的发展机遇。

在之前举行的第4次无机发光产业培育联盟早餐恳谈会上，与会者提出了推动无机发光产业可持续增长的多项建议，包括抢占核心技术并培养人才；确保材料与零部件的稳定供应链；建立装备与零部件的可靠性评估体系；构建产学研有机协作机制等。

韩国产业通商资源部产业政策室室长李承烈(音译)表示：“无机发光产业培育联盟是推动无机发光产业发展的政企合作平台和指挥塔。我们将积极发掘定制政策并提供制度支持，确保韩国在该领域也能引领市场。”

投资180亿韩元，韩国启动17项研发任务

今年2月，韩国产业技术振兴院 (KIAT)和韩国显示产业协会（KDIA）公布了“无机发光显示技术开发和生态系统构建项目”的17项研发任务。该项目总投资规模为180亿韩元（约合人民币9054万元）。

17项研发项目如下：

无机发光显示市场开拓及竞争力提升的生态系统建设支持；

适用于大规模量产的标准平台型 1xμm 级红、绿、蓝 MicroLED 外延生长技术开发

外部量子效率 2% 以上、尺寸 1xum 级标准平台兼容型红色MicroLED外延芯片技术开发

外部量子效率 15% 以上、芯片尺寸 10um 以下的高效率红色芯片技术开发

低功耗驱动 MicroLED 显示器用高亮度低温氧化物背板驱动技术开发

超高亮度智能手表用 3000 nits 以上高亮度低功耗面板及无驱动器像素结构技术开发

大型 MicroLED 显示屏用基于自对准的1亿 UPH 级超高速转印及封装技术开发

中小型显示屏用无衬底/比对再排列方式的高分辨率1xum 级 RGB MicroLED 像素技术开发

适用于芯片级中小型 MicroLED 显示屏的量产保障用超高速转印及封装工艺技术开发

适用于芯片级中小型 MicroLED 显示屏的面板检测及修复工艺技术开发

适用于无衬底中小型 MicroLED 显示屏的量产保障用超高速转印及封装工艺技术开发

适用于无衬底中小型 MicroLED 显示屏的面板检测及修复工艺技术开发

(综合)基于 MicroLED 像素的单体 4KLEDOS 设备技术开发

(第一阶段)高分辨率 AR 设备用 CMOS 背板电路设计及高信赖度无驱动器像素技术开发

(第二阶段)高分辨率 AR 级 6000 PPI以上 LEDoS 设备用 R·G·B外延及硅基背板一体化量产分区驱动及像素结构技术开发

(第三阶段)高分辨率 AR 设备用超小型光学系统技术开发

无机发光显示生态系统发展的基础设施及智能显示研发中心建设

值得注意的是，韩国财政部于去年12月16日公布的《税法修订案》也将推动韩国在无机发光显示技术上的发展。该修订案新增“Micro LED外延、转印、封装材料及设备技术”为国家战略技术，并将R&D税收抵免政策扩大至中小及中型企业，同时支持研发及商业化设施投资的税收减免。

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